作者根据，LMZ22005datasheet进行电路设计，12V降至3.3V。完全按照文档进行设计，但是输出就是没有电压。其中EN直接接地了，因为文档有写０－５V
简易参考电路、EN电压和电路设计图：
跪求答案。
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LMZ22005没有输出电压
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电源纹波测量示波器横坐标设置问题
使用DC-DC过程中测量输出电压的纹波，发现50ms和1us时候测量的纹波数据差异很大。
刚也翻了一下论坛的纹波测量有关帖子，对带宽和接地都有详细的描述，不过对横坐标没有标示要求。
我这边测量过程中示波器已设置20MHz带宽，交流耦合，请问横坐标时间应该设置多少？
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TPS51200 用于DDR4 VTT端接，测量上电时序时发现DDR_VTT上电时有回沟
板上用1pcs TPS51200给5pcs DDR4提供VTT端接电平，51200电路如下：
（注：灰色默认空贴）
测试VCC_DDR、VCC_3V3、VTT_DDR、VREF_DDR上电，其中VCC_DDR、VTT_DDR有回沟，波形如下：（黄色是VCC_DDR、红色是VTT_DDR）
查看论坛其他人遇到的类似问题，认为是VTT_DDR负载电容上电瞬间充电电流过大，而VTT_DDR与VCC_DDR又共用地线，导致VCC_DDR上电又跌落，排查单板pcb布局布线，VTT_DDR与VCC_DDR确实共用地线，因此将VTT_DDR负载电容（3个10uF+1个0.1uF）地pin接到其他地平面上，测试波形如下：（黄色是VCC_DDR、灰色是VTT_DDR）
可以看出：VCC_DDR回沟基本消失，但VTT_DDR回沟没有改善，不明白VTT_DDR上电过程中为什么突然会变陡，之前用这颗芯片驱动4pcs DDR3没有遇到这个问题，单板上电容摆放位置及布线也没有发现明显不好的地方，RFOUT输出端10uF电容换成47uF，VTT端电容改为4*47uF电容，才能消掉回沟，但并没有找到根因，请帮忙分析，谢谢。
ps：板上VCC_3V3先于VCC_DDR（1.2V）上电，pcb图如下：
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请教TI FAE， UCC24612 具有驱动具有turn-off时间限制，其中具有最大时间3uS，这个参数什么物理意义；
是否与频率有关：如果选用原边定频最大占空比50%,是否限制了Fs_min不小于166kHz？？
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CCS在MAC版本系统下UCD3138的支持情况
由于使用mac系统，请问mac版本的ccs9.0以上是否支持UCD3138系列的代码编译？如果支持，在安装ccs过程中选择哪一类mcu安装？（ARM-M3？）
顺便问一下Fusion Power系列工具是否有mac版本？以及是否支持代码下载和pmbus调试？
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TPS61089的输出电容选取问题
HI all:
使用TPS61089-EVM测试，输入给3.3V，EVM的输出为9V, 测试带载能力等都可以没问题。当把输出端加470uF的电容后会，输出电压升压仅能达到4.3V左右。EVM上看输出电容C7未焊接，想请教一下什么时间需要焊接？ 另外在我使用过程中加了470uF为什么出现升压不正常现象，什么原因导致的呢？
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LM5155设计问题
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I am using the BQ40Z50, but pity find with : No Acknowledge from device... 我在TI官网上下了bq40Z50的EVSW，用EV2300连上电池，打开EVSW后最下面却显示No Acknowledge from device，请问这是怎么回事？..
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tps82130 使用问题
tps82130输出可以并联使用吗？
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用TPS61178RNWR升压到15v,给锂电池充电
用TPS61178RNWR，12V 输入，15V输出，给三节锂电池充电，电流最大输出不足2A,带负载后，输出电压也被拉低，请问如果改善
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LP8556 - PWM in 到 PWM out(LED current sink)的时间有定义吗?
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双管正激方案
新手，老板想做个400W电源，看了一些资料，准备用3845来做，想请问：
1. 应该用驱动变压器 还是 用芯片（如IR2110）驱动MOS管？有啥讲究吗？
2. 哪位有3845的原理图方案可以分享一下吗？
谢谢各位
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TPS7A4700RGWT regulation issue
Hi,
I use two stages of TPS7A4700RGWT to get a 3.3V output form a +15V supply, bellow is the schematic and PCB layout, now the issue is that we can get correct output from 1st stage (~8.04V), but cannot get right value from second stage (~4.33V, suppose to be 3.3V), could anybody advise on this?
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关于LMG1020输出问题
我使用LMG1020做MOS管驱动，在IN+引脚输入一个脉宽20ns，3.3V的脉冲，在IN-引脚输入一个延时5ns的脉宽20ns，3.3V的脉冲。
按datasheet，输出应该输出一个5ns宽的脉冲信号。但是电路中没有输出。
如果我把IN-直接接地，IN+依然输入一个脉宽20ns，3.3V的脉冲，此时输出会有一个20ns宽的脉冲信号。
请问这个是哪里有问题呢？
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TPS54260掉电异常，出现较大上升尖峰。
TPS54260设计原理如下图（图1），输出3.3V，测试发现，采用220V开关电源供电12V，掉电过程出现上升尖峰（图2）；
相同电路输出5V（输出分压电阻调整为输出5V），掉电未出现异常尖峰；
测试EN掉电过程为缓慢下降，未出现尖峰；
EN悬空没有明显改善，调小EN电阻分压值，尖峰有所改善（图3），但仍存在低尖峰，但输入范围无法保证；
调大缓启动电容增大启动时间，没有明显改善；
调小电感值，没有明显改善；
请大腿指点。
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请教TI FAE高手，UCC24610/12 两个 IC 用在CCM flyback 不可靠，原理分析请帮忙解答。
UCC24610/12 两个 IC，用在深度CCM， SR关断时 与原边mos 没有deadtime , 存在原副边mos共通时刻，这样子的话能应用在CCM吗？
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BQ24072 充电电流
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BQ24072
Dear Engineers
BQ24072的充电截止电流可以到6mA吗？
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LP5900SD-3.0-REACH-SVHC List
谁能帮忙提供一下LP5900SD-3.0的REACH-SVHC List ？
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BQ24092DGQR 充电 检测？
现在在用BQ24092DGQR 给锂电池充电。
这颗芯片，在充电时，会检测电池是否在位，检测过程中，电池在放电。如果电池电压过低，会导致电压跌落。
请问，检测电池是否在位，这个动作能不能禁止？它会导致电池在低电压的时候，出现电压跌落。
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